山东省利津县第二中学2015高三二轮复习专题训练：物质结构与性质专题三（鲁科版）

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资源简介

3． A．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。用砷化镓制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管照明，是节能减排的有效举措。试回答：

（1）Ga的基态原子的核外电子排布式为。

（2）下列说法正确的是（选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素 B．第一电离能：Ga＞As

C．电负性：As＞Ga D．半导体GaP、SiC与砷化镓互为等电子体

（3）砷化镓是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制备得到，同时得到另一物质，该分子是

（填“极性分子”或“非极性分子”）。AsH₃的空间形状为，(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为。